Самоорганизация состава пленок Al[x]Ga[1-x]N, выращенных на гибридных подложках SiC/Si / С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, А. В. Осипов [и др.] // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 3. - С. 363-369 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (14 назв.)
. - ISSN 0367-3294
ББК 22.379
Рубрики:
Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные): sic/si -- гибридные подложки -- карбид кремния -- подложки sic/si -- твердые растворы -- хлорид-гидридная эпитаксия -- широкозонные полупроводники
Аннотация: Обнаружено явление самоорганизованного изменения состава эпитаксиальных слоев твердого раствора Al[x]Ga[1-x]N при их росте на гибридных подложках SiC/Si (111).
Держатели документа:
ТОНБ
Доп. точки доступа:
Кукушкин, С. А.
Шарофидинов, Ш. Ш.
Осипов, А. В.
Гращенко, А. С.
Кандаков, А. В.
Осипова, Е. В.
Котляр, К. П.
Убыйвовк, Е. В.
Имеются экземпляры в отделах:
всего 1 : УЧЗПИ (4 этаж) (1)
Свободны: УЧЗПИ (4 этаж) (1)
|