Черемисин, А. Б. (кандидат физико-математических наук). Прототип тонкопленочного полевого транзистора с InZnON каналом для разработки нового типа фотодетекторов с чувствительным слоем из коллоидных квантовых точек = In ZnON-based thin film transistor for the development of new type photo detectors with a colloidal quantum dots sensitive layer / А. Б. Черемисин, С. А. Мацегор, Д. М. Пузанов> // Нано- и микросистемная техника. - 2020. - Т. 22, № 8. - С. 452-460 : 4 рис., 3 табл. - Библиогр. в конце ст. (15 назв.). - Текст парал.: англ., рус. . - ISSN 1813-8586
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): inznon -- аморфные оксидные полупроводники -- аморфные полупроводники -- канал inznon -- квантовые точки -- коллоидные квантовые точки -- коллоидные точки -- полевые транзисторы -- тонкопленочные полевые транзисторы -- тонкопленочные транзисторы -- транзисторы -- фотодетекторы -- фототранзисторы -- чувствительные слои Аннотация: Исследован эффект умеренного нитридирования полупроводникового слоя канала на воспроизводимость и электрическую стабильность вольт-амперных характеристик устройства. Держатели документа: ТОНБ Доп. точки доступа: Мацегор, С. А. Пузанов, Д. М. (кандидат технических наук) Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : УЧЗПИ (4 этаж) (1) Свободны: УЧЗПИ (4 этаж) (1) |