Климов, Е. А. (кандидат физико-математических наук). Влияние встроенного пьезоэлектрического поля на спектры фотолюминесценции упруго напряженных сверхрешеток InGaAs/GaAs на подложках GaAs (110) и (111)А = Influence of the built-in piezoelectric field on the photoluminescence spectra of strained superlattices InGaAs/GaAs on GaAs (110) and (111)A substrates / Е. А. Климов, С. С. Пушкарев, А. Н. Клочков // Нано- и микросистемная техника. - 2022. - Т. 24, № 6. - С. 283-287 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (9 назв.). - Текст парал.: англ., рус. . - ISSN 1813-8586
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): gaas -- ingaas -- арсенид галлия-индия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- подложки gaas (110) -- подложки gaas (111) a -- пьезоэлектрический эффект -- сверхрешетки gaas -- фотолюминесценция сверхрешеток Аннотация: Сообщается о проявлении пьезоэлектрического эффекта в спектрах фотолюминесценции сверхрешеток с упруго напряженными квантовыми ямами InхGa1-xAs/GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs. Держатели документа: ТОНБ Доп. точки доступа: Пушкарев, С. С. (кандидат физико-математических наук) Клочков, А. Н. (кандидат физико-математических наук) Имеются экземпляры в отделах: УЧЗПИ (4 этаж) (27.12.2022г. Экз. 1 - Б.ц.) (свободен) |