Диэлектрические свойства пористых оксидов алюминия и кремния с включениями триглицинсульфата и его модифицированных аналогов / О. М. Голицына [и др.] // Физика твердого тела. - 2013. - Т. 55, вып. 3. - С. 479-484 : 10 рис. - Библиогр. в конце ст. (25 назв.)
. - ISSN 0367-3294
ББК 22.37
Рубрики:
Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные): алюминий -- диэлектрические свойства -- кремний -- кристаллография в целом -- модифицированные аналоги -- нанотехнологии -- пористые оксиды -- триглицинсульфат
Аннотация: Предложен механизм смещения температуры фазового перехода сегнетоэлектрического включения в условиях "ограниченной геометрии", обусловленный различием коэффициентов теплового расширения пористой матрицы и внедренного сегнетоэлектрика.
Держатели документа:
ТОНБ
Доп. точки доступа:
Голицына, О. М.
Дрождин, С. Н.
Нечаев, В. Н.
Висковатых, А. В.
Кашкаров, В. М.
Гриднев, А. Е.
Чернышев, В. В.
Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (08.05.2013г. Экз. 1 - ) (свободен)
|