Исследование особенностей роста нитевидных нанокристаллов GaAs в мезаструктурах / И. П. Сошников [и др.] // Физика твердого тела. - 2013. - Т. 55, вып. 4. - С. 645-649 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (32 назв.)
. - ISSN 0367-3294
ББК 22.37
Рубрики:
Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- кристаллография в целом -- мезаструктуры -- нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- эпитаксиальное формирование
Аннотация: Показана возможность эпитаксиального формирования массивов нитевидных нанокристаллов на наклонных гранях линейных мезаструктур.
Держатели документа:
ТОНБ
Доп. точки доступа:
Сошников, И. П.
Петров, В. А.
Цырлин, Г. Э.
Самсоненко, Ю. Б.
Буравлев, А. Д.
Задиранов, Ю. М.
Ильинская, Н. Д.
Трошков, С. И.
Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (27.06.2013г. Экз. 1 - ) (свободен)
|