Транспортные свойства сегнетоэлектрического туннельного перехода в бислойных структурах сегнетоэлектрик/манганит / М. С. Иванов [и др.] // Физика твердого тела. - 2014. - Т. 56, вып. 6. - С. 1100-1105 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (31 назв.)
. - ISSN 0367-3294
ББК 22.37
Рубрики:
Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные): бислойные структуры -- кристаллография в целом -- манганиты -- сегнетоэлектричество -- транспортные свойства -- туннельные переходы
Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования протекания тока через наноразмерный слой сегнетоэлектрика в серии бислойных структур сегнетоэлектрик/манганит, изготовленных методом аэрозольного осаждения металлоорганических соединений на подложку MgO.
Держатели документа:
ТОНБ
Доп. точки доступа:
Иванов, М. С.
Буряков, А. М.
Морозов, В. Г.
Мишина, Е. Д.
Сигов, А. С.
Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (13.08.2014г. Экз. 1 - ) (свободен)
|