Эффект воздействия n- и p-типа проводимости подложки Si(100) с буферным слоем SiC на механизм роста и структуру эпитаксиальных слоев полуполярных AlN и GaN / В. Н. Бессолов [и др.] // Физика твердого тела. - 2015. - Т. 57, вып. 10. - С. 1916-1921 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (9 назв.)
. - ISSN 0367-3294
ББК 22.37
Рубрики:
Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные): aln -- gan -- si подложка -- sic -- буферные слои -- кристаллография в целом -- подложки -- проводимость -- эпитаксиальные слои
Аннотация: Обнаружен новый эффект влияния типа легирования подложки Si (100) с пленкой SiC на механизм роста и структуру эпитаксиальных слоев AlN и GaN.
Держатели документа:
ТОНБ
Доп. точки доступа:
Бессолов, В. Н.
Гращенко, А. С.
Коненкова, Е. В.
Мясоедов, А. В.
Осипов, А. В.
Редьков, А. В.
Родин, С. Н.
Рубец, В. П.
Кукушкин, С. А.
Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (24.11.2015г. Экз. 1 - ) (свободен)
|