Предотвращение растрескивания кристаллов AIN на подложках SiC путем испарения подложек / Т. С. Аргунова [и др.] // Физика твердого тела. - 2015. - Т. 57, вып. 12. - С. 2400-2407 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (12 назв.)
. - ISSN 0367-3294
ББК 22.372
Рубрики:
Физика
Механические и акустические свойства монокристаллов
Кл.слова (ненормированные): ain -- sic -- испарение подложек -- кристаллы ain -- подложки sic -- растрескивание кристаллов
Аннотация: Исследована проблема предотвращения растрескивания кристаллических слоев AlN под действием высоких термоупругих напряжений при выращивании этих слоев на подложках SiC.
Держатели документа:
ТОНБ
Доп. точки доступа:
Аргунова, Т. С.
Гуткин, М. Ю.
Мохов, Е. Н.
Казарова, О. П.
Lim Jae Hong
Щеглов, М. П.
Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (28.01.2016г. Экз. 1 - ) (свободен)
|