Разработка и исследование фотопроводящих антенн на основе полупроводников группы A3B5, выращенных при пониженных температурах эпитаксиального роста / Г. Б. Галиев [и др.] // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 6. - С. 28-29 : 3 рис. - Библиогр.: с. 29 (3 назв.)
. - ISSN 1813-8586
ББК 32.852
Рубрики:
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные): a3b5 -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- наногетероструктуры -- низкотемпературный арсенид галлия -- полупроводники группы a3b5 -- фотопроводящие антенны
Аннотация: Приведены результаты экспериментальных разработок в области создания перспективного материала для современной терагерцовой ЭКБ - низкотемпературного арсенида галлия, а также фотопроводящих антенн на его основе для генерации и детектирования терагерцового излучения.
Держатели документа:
ТОНБ
Доп. точки доступа:
Галиев, Г. Б. (доктор физико-математических наук)
Климов, Е. А. (кандидат физико-математических наук)
Лаврухин, Д. В.
Ячменев, А. Э.
Галиев, Р. Р.
Пономарев, Д. С.
Хабибуллин, Р. А.
Федоров, Ю. В.
Бугаев, А. С.
Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (30.06.2014г. Экз. 1 - ) (свободен)
|