Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si / С. А. Кукушкин [и др.] // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 4. - С. 660-667 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (30 назв.)
. - ISSN 0367-3294
ББК 22.379
Рубрики:
Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные): sic/si -- галлий -- дислокация несоответствия -- нитрид галлия -- подложки sic/si
Аннотация: Обнаружен эффект изменения направления распространения дислокации несоответствия при росте слоев GaN на поверхности структуры AlN/SiC/Si (111).
Держатели документа:
ТОНБ
Доп. точки доступа:
Кукушкин, С. А.
Осипов, А. В.
Бессолов, В. Н.
Коненкова, Е. В.
Пантелеев, В. Н.
Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (24.05.2017г. Экз. 1 - ) (свободен)
|