Рубан, О. А. Исследование поляризации в гетероструктурах с квантовой ямой AlGaN/GaN методом вольт-фарадных характеристик = Investigation of Polarization in the Quantum Well Heterostructures of AlGaN/GaN by the Method of Current-Voltage Characteristics / О. А. Рубан // Нано- и микросистемная техника. - 2016. - Т. 18, № 11. - С. 675-680 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (11 назв.). - Текст парал.: англ., рус. . - ISSN 1813-8586
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): AlGaN/GaN -- GaN -- вольт-фарадные характеристики -- гетероструктуры -- наноструктуры -- нитрид галлия -- поляризация Аннотация: Показана возможность применения вольт-фарадных характеристик для оценки качества кристаллической структуры барьерного слоя в AlGaN/GaN гетероструктуре. Держатели документа: ТОНБ Имеются экземпляры в отделах: УЧЗПИ (4 этаж) (24.11.2016г. Экз. 1 - ) (свободен) |