Сравнительный анализ процессов металл-стимулированного химического травления кремния с использованием тонких пленок Ag и Ni для формирования 3D-структур Si = A Comparative Analysis of the Metal-Assisted Chemical Etching using Ag and Ni Thick Films for 3D Silicon Structure Formation / О. В. Воловликова [и др.] // Нано- и микросистемная техника. - 2017. - Т. 19, № 11. - С. 658-666. - Библиогр. в конце ст. (29 назв.). - Текст парал.: рус., англ. . - ISSN 1813-8586 УДК ^a539.2 ББК 22.37 Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): 3D-структуры -- Ag -- Ni -- кристаллография в целом -- металл-стимулированное травление -- тонкие пленки Ag -- тонкие пленки Ni -- химическое травление Аннотация: Проведен сравнительный анализ процессов формирования 3D-структур Si на основе металл-стимулированного травления с использованием пленок Ag и Ni. Держатели документа: ТОНБ Доп. точки доступа: Воловликова, О. В. (кандидат технических наук) Гаврилов, С. А. (доктор технических наук) Сыса, А. В. Савицкий, А. И. Дронова, Д. А. Железнякова, А. В. (кандидат технических наук) Павлов, А. А. Имеются экземпляры в отделах: УЧЗПИ (4 этаж) (28.11.2017г. Экз. 1 - ) (свободен)