Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов / А. В. Редьков [и др.] // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 3. - С. 433-440 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (21 назв.)
. - ISSN 0367-3294
ББК 22.379
Рубрики:
Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные): sic/si -- ансамбли микропор -- атомы -- замещение атомов -- микропоры -- процесс роста
Аннотация: Исследована временная эволюция ансамбля микропор, формирующихся в приповерхностной области кремния в процессе роста тонких пленок карбида кремния методом замещения атомов.
Держатели документа:
ТОНБ
Доп. точки доступа:
Редьков, А. В.
Гращенко, А. С.
Кукушкин, С. А.
Осипов, А. В.
Котляр, К. П.
Лихачев, А. И.
Нащекин, А. В.
Сошников, И. П.
Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (04.04.2019г. Экз. 1 - ) (свободен)
|