Применение импульсного магнетронного распыления для получения покрытий системы AIN-TiB[2]-TiSi[2] / В. М. Береснев [и др.] // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 8. - С. 118-121. - Библиогр.: c. 121 (8 назв. )
. - ISSN 0044-4642
ББК 22.37
Рубрики:
Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные): импульсное магнетронное распыление -- магнетронное распыление -- покрытия -- нанокомпозитные покрытия -- керамические покрытия -- композиционная керамика -- отжиг -- твердость -- износостойкость -- лезвийные инструменты -- рентгеноструктурный анализ
Аннотация: Импульсным магнетронным распылением получены покрытия из композиционной керамики AlN-TiB[2] с добавкой TiSi[2]. Размер областей упорядочения после осаждения покрытия составил порядка 1 nm, что относит структурное состояние к аморфноподобному. Отжиги при температурах 900 и 1300{o}C сопровождались кристаллизацией с размерами кристаллитов 11 и 25 nm соответственно. Кристаллизация, однако, не приводит к резкому ухудшению механических свойств благодаря образованию фаз с высокой энтальпией (AlB[2] при 900{o}C и AlB[2] и Al[2]O[3] при 1300{o}C). Твердость покрытия при этом изменялась от 15. 1 GPa в исходном состоянии до 11 GPa после отжига в 1300{o}C, что позволило повысить стойкость к износу лезвийного инструмента с такими покрытиями до 1. 32 раза при температуре в зоне контакта 1300{o}C.
Держатели документа:
ТОНБ
Доп. точки доступа:
Береснев, В. М.
Торяник, И. Н.
Соболь, О. В.
Погребняк, А. Д.
Кропотов, А. Ю.
Стервоедов, Н. Г.
Немченко, У. С.
Колесников, Д. А.
Клименко, С. А.
Турбин, П. В.
Имеются экземпляры в отделах:
всего 1 : УЧЗПИ (4 этаж) (1)
Свободны: УЧЗПИ (4 этаж) (1)
|