Фотоиндуцированные дефекты в аморфных пленках a-Si:H и в структурах с квантовыми ямами MQW на основе InGaN/GaN, легированных Eu, Sm, Eu + Sm / М. М. Мездрогина [и др.] // Журнал технической физики. - 2015. - Т. 85, № 9. - С. 97-104. - Библиогр.: c. 104 (17 назв. )
. - ISSN 0044-4642
ББК 22.37
Рубрики:
Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные): фотоиндуцированные дефекты -- аморфные пленки -- гидрированный кремний -- iii-нитриды -- нитриды -- квантовые ямы -- структуры с квантовыми ямами -- легирование -- плотность состояний -- микрофотолюминесценция -- фотолюминесценция -- кластеры
Аннотация: Появление фотоиндуцированных дефектов в пленках a-Si: H связано с увеличением плотности состояний в середине запрещенной зоны вследствие конверсии слабых, напряженных связей кремния с водородом (Si: H) в оборванные Si-Si-связи, с наличием пространственно разделенных областей с различной концентрацией и типами связей Si-H. В структурах с квантовыми ямами (MQW) на основе InGaN/GaN, легированных РЗИ, фотоиндуцированные дефекты появляются в результате увеличения интенсивности возбуждения при измерениях спектров микрофотолюминесценции, что является причиной реализации сложного пространственного рельефа случайного потенциала в основном в латеральной плоскости, вследствие чего возможно появление кластеров с отличающимся от среднего составом In вплоть до разделения фаз InN и GaN.
Держатели документа:
ТОНБ
Доп. точки доступа:
Мездрогина, М. М.
Теруков, Е. И.
Трапезникова, И. Н.
Кожанова, Ю. В.
Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (05.11.2015г. Экз. 1 - ) (свободен)
|