Подольская, Н. И. Численное моделирование наносекундного переключения p-SOS-диода / Н. И. Подольская, А. Г. Люблинский, И. В. Грехов // Журнал технической физики. - 2017. - Т. 87, № 12. - С. 1790-1793. - Библиогр.: c. 1793 (6 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): p-sos-диоды -- численное моделирование -- наносекундное переключение диодов -- обрыв тока -- домены электрического поля -- электронно-дырочная плазма -- sos-эффект Аннотация: Проведено численное моделирование процесса резкого обрыва обратного тока большой плотности при переключении с прямого смещения на обратное в кремниевой p{+}P[0]n{+}-структуре (p-SOS-диоде). Показано, что в такой структуре обрыв тока происходит вследствие формирования двух динамических доменов сильного электрического поля в областях, где концентрация свободных носителей значительно превышает концентрацию легирующей примеси. Первый домен формируется в n+-области у n{+}P[0]-перехода, а второй в P[0]-области у границы с p{+}-слоем. Второй домен расширяется существенно быстрее и именно он в основном определяет скорость обрыва тока. Достигнуто хорошее согласие расчета с экспериментом при полном учете реальной электрической цепи, определяющей процессы накачки и выкачки электронно-дырочной плазмы. Держатели документа: ТОНБ Доп. точки доступа: Люблинский, А. Г. Грехов, И. В. Имеются экземпляры в отделах: УЧЗПИ (4 этаж) (11.01.2018г. Экз. 1 - ) (свободен) |