Юрков, С. Н. Теоретический анализ эффекта dU/dt в тиристорных структурах на основе 4H-SiC / С. Н. Юрков, Т. Т. Мнацаканов, А. Г. Тандоев // Журнал технической физики. - 2018. - Т. 88, № 10. - С. 1544-1550. - Библиогр.: с. 1550 (13 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): тиристорные структуры -- численное моделирование -- du/dt эффект -- карбид кремния -- критический заряд включения -- шунты -- технологические шунты Аннотация: На основе результатов численного моделирования проведен анализ особенностей эффекта dU/dt в тиристорных структурах на основе 4H-SiC, связанных с реализацией в них недавно обнаруженного alpha-механизма включения. Показано, что одним из проявлений этого механизма является катастрофическое снижение блокируемого тиристором напряжения при увеличении температуры структуры. Обсуждены практические пути устранения обнаруженного эффекта. Держатели документа: ТОНБ Доп. точки доступа: Мнацаканов, Т. Т. Тандоев, А. Г. Имеются экземпляры в отделах: УЧЗПИ (4 этаж) (09.11.2018г. Экз. 1 - ) (свободен) |