Поверхностный тепловой интерфейс для мощных арсенид-галлиевых гетероструктурных полевых транзисторов / А. Б. Пашковский [и др.] // Журнал технической физики. - 2019. - Т. 89, № 2. - С. 252-257. - Библиогр.: с. 257 (15 назв. )
. - ISSN 0044-4642
ББК 32.852
Рубрики:
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные): арсенид-галлиевые гетероструктурные полевые транзисторы -- теплопроводящие покрытия -- мощные полевые транзисторы -- охлаждение транзисторов -- тепловой интерфейс -- диэлектрические теплопроводящие покрытия -- полевые транзисторы -- немт-транзисторы
Аннотация: Проведен теоретический анализ возможностей использования теплопроводящих покрытий для охлаждения мощных полевых транзисторов на основе гетероструктур с арсенид-галлиевой подложкой. При сохранении базовой технологии изготовления транзисторов и без дополнительных мер по уменьшению теплового сопротивления подложки введение дополнительного теплового интерфейса в виде диэлектрического теплопроводящего покрытия позволяет значительно уменьшить перегрев канала транзистора. В зависимости от толщины покрытия, конструкции транзистора и режима его работы перегрев канала может быть снижен в несколько раз.
Держатели документа:
ТОНБ
Доп. точки доступа:
Пашковский, А. Б.
Куликова, И. В.
Лапин, В. Г.
Лукашин, В. М.
Приступчик, Н. К.
Манченко, Л. В.
Калина, В. Г.
Лопин, М. И.
Закурдаев, А. Д.
Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (29.03.2019г. Экз. 1 - ) (свободен)
|