Синтез гексагональных слоев AlN и GaN на Si(100)-подложке методом хлоридной газофазной эпитаксии / В. Н. Бессолов [и др.] // Журнал технической физики. - 2019. - Т. 89, № 4. - С. 574-577. - Библиогр.: с. 577 (16 назв. )
. - ISSN 0044-4642
ББК 22.375
Рубрики:
Физика
Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные): нитрид алюминия -- нитрид галлия -- гексагональные слои -- кремний -- хлоридная газофазная эпитаксия -- газофазная эпитаксия -- сульфидирование поверхности -- рентгеновские кривые качания
Аннотация: Рассмотрена технология синтеза AlN- и GaN-структур на Si (100) -подложке методом хлоридной газофазной эпитаксии, включающей в себя сульфидирование поверхности кремния, зарождение и рост AlN-слоя, а затем GaN/AlN-структуры. Обнаружено, что синтез GaN происходит на буферных слоях двух кристаллографических ориентаций AlN на подложке Si (100) по сравнению с одной кристаллографической ориентацией на подложке Si (111). Показано, что применение водных растворов (NH[4]) [2]S при обработке Si (100) приводит к уменьшению полуширины рентгеновской кривой качания GaN (0002) в 1. 5 раза.
Держатели документа:
ТОНБ
Доп. точки доступа:
Бессолов, В. Н.
Гущина, Е. В.
Коненкова, Е. В.
Коненков, С. Д.
Львова, Т. В.
Пантелеев, В. Н.
Щеглов, М. П.
Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (30.04.2019г. Экз. 1 - ) (свободен)
|