Исследование критической температуры T[c] гомофазных сверхпроводников (Bi[1.7]Pb[0.3]Sr[2]Ca[(n-1)]Cu[n] O[y] (n=3, 4, 5) и вольт-амперных характеристик сэндвич-пар полупроводник InP-сверхпроводник Bi/Pb (2223, 2234, 2245) / Д. Д. Гуламова [и др.] // Журнал технической физики. - 2019. - Т. 89, № 4. - С. 583-589. - Библиогр.: с. 589 (24 назв. )
. - ISSN 0044-4642
ББК 22.37
Рубрики:
Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные): гомофазные сверхпроводники -- сверхпроводники -- высокотемпературные сверхпроводники -- критическая температура -- вольт-амперные характеристики -- сэндвич-пары -- полупроводник-сверхпроводник -- висмутовые купраты -- расплавная гелиотехнология -- сверхпроводящие переходы
Аннотация: Исследованы электрофизические свойства сэндвич-пар "полупроводник-сверхпроводник" (InP-Bi/Pb 2223, 2234, 2245), в которых использованы гомофазные сверхпроводники на основе висмутовых купратов с высокими воспроизводимыми критическими температурами сверхпроводящего перехода T[c]=107-180 K. Показано преимущество расплавной гелиотехнологии получения сверхпроводящих материалов. Исследованы микроструктура и фазовый состав сильно анизотропных сверхпроводников номиналов Bi[1. 7]Pb[0. 3]Sr[2]Ca[ (n-1) ]Cu[n] O[y] (n=3, 4, 5). Представлена методика экспериментального определения критических температур сверхпроводящего перехода Tc в однофазных и гомофазных ВТСП-образцах. Изучены вольт-амперные характеристики пар InP-Bi/Pb. Определена связь между электросопротивлением сэндвич-пар и критической температурой T[c] сверхпроводника.
Держатели документа:
ТОНБ
Доп. точки доступа:
Гуламова, Д. Д.
Каримов, А. В.
Чигвинадзе, Д. Г.
Ашимов, С. М.
Маградзе, О. В.
Бобокулов, С. Х.
Турдиев, Ж. Ш.
Бахронов, Х. Н.
Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (30.04.2019г. Экз. 1 - ) (свободен)
|