Создание и исследование высокотемпературного лазерного диода с длиной волны излучения 1310 нм на основе зарощенных гетероструктур InP/GaInAsP / М. Г. Васильев [и др.] // Неорганические материалы. - 2014. - Т. 50, № 9. - С. 963-967 : 6 рис. - Библиогр.: с. 967 (8 назв. )
. - ISSN 0002-337Х
ББК 24.12 + 22.332
Рубрики:
Химия
Химические элементы и их соединения
Физика
Электрический ток
Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые лазеры -- гетероструктуры -- лазерные диоды -- ватт-амперная характеристика -- спектральная характеристика
Аннотация: Исследования продолжают цикл работ по созданию полупроводниковых лазеров на основе зарощенных гетероструктур InP/GaInAsP. Рассматриваются технологические аспекты разработки и изготовления лазерных диодов с длиной волны излучения 1310 нм, работающих при повышенных температурах. Описываются технологические особенности изготовления и исследования параметров лазерного излучателя до температур 120°С. Приводятся результаты исследования ватт-амперных и спектральных характеристик лазерных диодов.
Держатели документа:
ТОНБ
Доп. точки доступа:
Васильев, М. Г.
Васильев, А. М.
Изотов, А. Д.
Шелякин, А. А.
Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (23.10.2014г. Экз. 1 - ) (свободен)
|