Получение наноразмерных гетероструктур GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии для квантового каскадного лазера / А. А. Мармалюк [и др.] // Неорганические материалы. - 2017. - Т. 53, № 9. - С. 909-913 : 4 рис. - Библиогр.: с. 913 (17 назв. )
. - ISSN 0002-337X
ББК 32.847
Рубрики:
Радиоэлектроника
Импульсные устройства
Кл.слова (ненормированные): МОС-гидридная эпитаксия -- сверхрешетка -- квантовые каскадные лазеры -- наноразмерные гетероструктуры -- рентгеновская дифрактометрия -- фотолюминесценция -- просвечивающая электронная микроскопия
Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии на основе гетеропары GaAs/AlGaAs выращены короткопериодные сверхрешетки, активная область и гетероструктура квантового каскадного лазера. Исследованы их характеристики методами высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии, просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции. На основе гетероструктур разработаны квантовые каскадные лазеры, излучающие в области спектра около 10 мкм. Мощность излучения в импульсном режиме при 77 К составляла более 200 мВт.
Держатели документа:
ТОНБ
Доп. точки доступа:
Мармалюк, А. А.
Падалица, А. А.
Ладугин, М. А.
Горлачук, П. В.
Яроцкая, И. В.
Андреев, А. Ю.
Багаев, Т. А.
Лобинцов, А. В.
Курнявко, Ю. В.
Сапожников, С. М.
Данилов, А. И.
Телегин, К. Ю.
Симаков, В. А.
Засавицкий, И. И.
Зарубин, С. С.
Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (02.10.2017г. Экз. 1 - ) (свободен)
|