Синтез и свойства гетероструктур In[x]Al[y]Ga[1-x-y]P[z]As[1-z]/GaAs / Д. Л. Алфимова [и др.] // Неорганические материалы. - 2017. - Т. 53, № 12. - С. 1245-1256 : 6 рис., 6 табл. - Библиогр.: с. 1255-1256 (23 назв. )
. - ISSN 0002-337X
ББК 24.12
Рубрики:
Химия
Химические элементы и их соединения
Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- зонная перекристаллизация -- градиент температуры -- фазовые равновесия -- синтез -- твердые растворы -- фотолюминесценция
Аннотация: В рамках модели простых растворов проведен анализ фазовых равновесий в системе In-Al-Ga-P-As. Для диапазона температур 937-1223 К рассчитаны границы существования твердого раствора InAlGaPAs, синтезированного на подложке GaAs. Добавление индия в твердый раствор AlGaPAs приводит к незначительному уменьшению скорости роста в диффузионном режиме и значительному увеличению в кинетическом режиме. Показано, что с добавлением индия в твердый раствор AlGaPAs полуширина пика кривой дифракционного отражения и фотолюминесценции уменьшается. При этом увеличивается интенсивность фотолюминесценции. Повышение концентрации индия x 0. 3 в твердом растворе In[x]Al[y]Ga[1-x-y]P[z]As[1-z] расширяет область существования, увеличивает ширину запрещенной зоны, уменьшает пределы составов изопериодных гетероструктур In[x]Al[y]Ga[1-x-y]P[z]As[1-z]/GaAs, но делает их согласованными по коэффициенту термического расширения (изоэкспандными). Установлено, что с увеличением концентрации индия в твердом растворе уменьшается коэффициент распределения для P и As и повышается для Al и In.
Держатели документа:
ТОНБ
Доп. точки доступа:
Алфимова, Д. Л.
Лунин, Л. С.
Лунина, М. Л.
Казакова, А. Е.
Пащенко, А. С.
Чеботарев, С. Н.
Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (15.01.2018г. Экз. 1 - ) (свободен)
|