Исследование межатомного взаимодействия в многослойных наноструктурах [(CoFeB)[60]C[40]/SiO[2]][200] и [(CoFeB)[34](SiO[2])[66]/C][46] с композитными металлсодержащими слоями методом ИК-спектроскопии / Э. П. Домашевская [и др.] // Неорганические материалы. - 2018. - Т. 54, № 2. - С. 153-159 : 5 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 158-159 (23 назв. )
. - ISSN 0002-337X
ББК 22.37
Рубрики:
Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные): ИК-спектроскопия -- инфракрасная спектроскопия -- идентификация мод -- многослойные наноструктуры -- композитные металлсодержащие слои -- оксид кремния -- оксид углерода -- неметаллические прослойки -- межатомные взаимодействия -- кристаллография в целом
Аннотация: Методом ИК- спектроскопии проведено исследование химических связей между компонентами аморфных многослойных наноструктур (МНС) [ (CoFeB) [60]C[40]/SiO[2]][200] и [ (CoFeB) [34] (SiO[2]) [66]/C][46] с композитными металлсодержащими слоями и различными прослойками, которые влияют на электромагнитные свойства. Установлено, что, несмотря на одинаковый элементный состав МНС, их ИК-спектры существенно отличаются. Это связано с тем, что в МНС [ (CoFeB) [60]C[40]/SiO[2]][200] основной вклад в формирование ИК-спектра дают прослойки SiO[2]. Образование других связей с кислородом и кремнием блокирует углерод в составе композитного слоя (CoFeB) [60]C[40], о чем свидетельствует наличие самой интенсивной моды в ИК-спектрах данной структуры, соответствующей карбиду бора BC. В МНС с углеродными прослойками [ (CoFeB) [34] (SiO[2]) [66]/C][46] значительное перераспределение интенсивности ИК-спектров в низкочастотную область обусловлено вхождением номинального SiO[2] в состав металлсодержащих композитных слоев и частичным перераспределением связей кислорода из SiO[2] на 3d-металлы с образованием оксидов металлов и субоксида кремния. Углерод, находясь в прослойках между композитными слоями, значительно меньше взаимодействует с элементами композитных слоев, в том числе и с бором, по сравнению с другой МНС [ (CoFeB) [60]C[40]/SiO[2]][200] с оксидными прослойками.
Держатели документа:
ТОНБ
Доп. точки доступа:
Домашевская, Э. П.
Буйлов, Н. С.
Лукин, А. Н.
Ситников, А. В.
Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (19.04.2018г. Экз. 1 - ) (свободен)
|