Перспективные материалы электронно-компонентной базы для создания детекторов и генераторов ТГц-диапазона частот (0.5-5.0 ТГц) / Р. Р. Галиев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2016. - Т. 80, № 4. - С. 522-524 : рис. - Библиогр.: c. 524 (10 назв. )
. - ISSN 0367-6765
ББК 31.233
Рубрики:
Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные): медицинская диагностика -- неразрушающий контроль -- низкотемпературный gaas -- терагерцевые транзисторы -- фотопроводящие антенны
Аннотация: В работе разработан терагерцевый транзистор на основе метаморфной наногетероструктуры с частотой генерации f[max] = 0. 63 ТГц при длине "зигзагообразного" затвора транзистора L[g] = 46 нм. Изготовлена серия структур "низкотемпературного" GaAs, на основе которых разработаны фотопроводящие антенны c частотой генерации свыше 1. 5-2 ТГц.
Держатели документа:
ТОНБ
Доп. точки доступа:
Галиев, Р. Р.
Ячменев, А. Э.
Бугаев, А. С.
Галиев, Г. Б.
Федоров, Ю. В.
Климов, Е. А.
Хабибуллин, Р. А.
Пономарев, Д. С.
Мальцев, П. П.
Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (08.06.2016г. Экз. 1 - ) (свободен)
|