Гpанкин, М. В.
    Плазмохимические реакции на поверхности с наноструктурами, стимулированные электронными переходами / М. В. Гpанкин, А. И. Бажин // Известия РАН. Серия физическая. - 2014. - Т. 78, № 6. - С. 747-751. - Библиогр.: c. 751 (12 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 22.345 + 31.233

Рубрики:
Физика
Люминесценция
Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные): аккомодация энергии горячих адатомов -- диссипация энергии -- метод монте-карло -- монте-карло метод -- нитевидные нанокристаллы -- плазмохимические реакции
Аннотация: Предложен механизм диссипации энергии гетерогенной рекомбинации атомов из низкотемпературной плазмы, учитывающий аккомодацию энергии реакции по электронному каналу. Представлены результаты моделирования методом Монте-Карло для систем газ-поверхность с наноточками из металла. Показано, что в случае широкозонных твердых тел с металлическими наноточками электронный канал может определять скорость плазмохимической реакции и эпитаксиальный рост полупроводника или нитевидного нанокристалла.

Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Бажин, А. И.


Имеются экземпляры в отделах:
УЧЗПИ (4 этаж) (26.01.2015г. Экз. 1 - ) (свободен)