Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Яковкина Л. В., Смирнова Т. П., Борисов В. О., Кичай В. Н., Каичев В. В. Заглавие : Cинтез и свойства диэлектрических пленок (HfO[2])[1–x](Sc[2]O[3])[x] Место публикации : Неорганические материалы. - 2013. - Т. 49, № 2. - С.165-172: 8 рис., 2 табл. - ISSN 0002-337Х (Шифр Н23/2013/2). - ISSN 0002-337Х Примечания : Библиогр.: с. 172 (22 назв. ) УДК : 621.382 ББК : 32.852 Предметные рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): метод химического осаждения--нанокристаллические пленки--диэлектрическая проницаемость--пленки--металл-диэлектрик-полупроводник Аннотация: Пленки (HfO[2]) [1 – x] (Sc[2]O[3]) [x] получены методом химического осаждения из газовой фазы (CVD) с использованием в качестве исходных веществ летучих комплексных соединений: 2, 2, 6, 6-тетраметил-3, 5-гептандионат гафния (Hf (thd) [4]) и 2, 2, 6, 6-тетраметил-3, 5-гептандионат скандия (Sc (thd) [3]). Исследованы состав и структура пленок с концентрацией Sc от 1 до 36 ат. %. Держатели документа: ТОНБ Доп. точки доступа: Яковкина, Л. В. Смирнова, Т. П. Борисов, В. О. Кичай, В. Н. Каичев, В. В.