Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Сошников И. П., Петров В. А., Цырлин Г. Э., Самсоненко Ю. Б., Буравлев А. Д., Задиранов Ю. М., Ильинская Н. Д., Трошков С. И. Заглавие : Исследование особенностей роста нитевидных нанокристаллов GaAs в мезаструктурах Серия: Полупроводники Место публикации : Физика твердого тела. - 2013. - Т. 55, вып. 4. - С.645-649: 4 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр Ф6/2013/4). - ISSN 0367-3294 Примечания : Библиогр. в конце ст. (32 назв.) ГРНТИ : 29.19 УДК : 539.2 ББК : 22.37 Предметные рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): арсенид галлия--кристаллография в целом--мезаструктуры--нанокристаллы--нитевидные нанокристаллы--эпитаксиальное формирование Аннотация: Показана возможность эпитаксиального формирования массивов нитевидных нанокристаллов на наклонных гранях линейных мезаструктур. Держатели документа: ТОНБ Доп. точки доступа: Сошников, И. П. Петров, В. А. Цырлин, Г. Э. Самсоненко, Ю. Б. Буравлев, А. Д. Задиранов, Ю. М. Ильинская, Н. Д. Трошков, С. И.