Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 621.382/М 54 Автор(ы) : Рубан О. А., Пушкарев С. С., Галиев Г. Б., Климов Е. А., Пономарев Д. С., Хабибуллин Р. А., Мальцев П. П., Заглавие : Метаморфные наногетероструктуры InGaAs/InAlAs на подложках GaAs для приборов терагерцовой электроники / О. А. Рубан, С. С. Пушкарев, Г. Б. Галиев и др Серия: Материаловедческие и технологические основы МНСТ Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. С. 12-15. - ISSN 1813-8586 (Шифр Н218/2013/10). - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр.: с. 15 (9 назв.) УДК : 621.382 ББК : 32.852 Предметные рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): терагерцовое излучение--метаморфные буферы--наногетероструктуры--молекулярно-лучевая эпитаксия--биоимиджинг--спутниковая связь Аннотация: Исследованы электрофизические и структурные свойства метафорных и наногетероструктур с различным дизайном метафорного буфера. Держатели документа: ТОНБ Доп. точки доступа: Рубан, О. А. Пушкарев, С. С. Галиев, Г. Б. Климов, Е. А. Пономарев, Д. С. Хабибуллин, Р. А. Мальцев, П. П.