Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Галиев Г. Б., Климов Е. А., Лаврухин Д. В., Ячменев А. Э., Галиев Р. Р., Пономарев Д. С., Хабибуллин Р. А., Федоров Ю. В., Бугаев А. С. Заглавие : Разработка и исследование фотопроводящих антенн на основе полупроводников группы A3B5, выращенных при пониженных температурах эпитаксиального роста Серия: Материаловедческие и технологические основы МНСТ Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 6. - С.28-29: 3 рис. - ISSN 1813-8586 (Шифр Н218/2014/6). - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр.: с. 29 (3 назв.) УДК : 621.382 ББК : 32.852 Предметные рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): a3b5--молекулярно-лучевая эпитаксия--наногетероструктуры--низкотемпературный арсенид галлия--полупроводники группы a3b5--фотопроводящие антенны Аннотация: Приведены результаты экспериментальных разработок в области создания перспективного материала для современной терагерцовой ЭКБ - низкотемпературного арсенида галлия, а также фотопроводящих антенн на его основе для генерации и детектирования терагерцового излучения. Держатели документа: ТОНБ Доп. точки доступа: Галиев, Г. Б. (доктор физико-математических наук) Климов, Е. А. (кандидат физико-математических наук) Лаврухин, Д. В. Ячменев, А. Э. Галиев, Р. Р. Пономарев, Д. С. Хабибуллин, Р. А. Федоров, Ю. В. Бугаев, А. С.