Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Галиев Г. Б., Буряков А. М., Билык В. Р., Хусяинов Д. И., Мишина Е. Д., Климов Е. А., Клочков А. Н., Пушкарев С. С., Васильевский И. С., Грехов М. М., Трунькин И. Н., Васильев, Александр Леонидович Заглавие : Терагерцевое излучение эпитаксиальных низкотемпературных GaAs структур на подложках GaAs (100) И (111)А Параллельн. заглавия :Terahertz Radiation from the Epitaxial Low-Temperature-Grown Structures on GaAs (100) and (111)A Substrates Серия: Материаловедческие и технологические основы МНСТ Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2017. - Т. 19, № 9. - С.515-526: 7 рис., 2 табл. - ISSN 1813-8586 (Шифр Н218/2017/9). - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. в конце ст. (18 назв.). - Текст парал.: рус., англ. УДК : 539.2 ББК : 22.37 Предметные рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Аннотация: Методом терагерцевой спектроскопии исследована эффективность генерации и детектирования терагерцевого (ТГц) излучения структурами, на поверхности которых были изготовлены микрополосковые фотопроводящие антенны. Держатели документа: ТОНБ Доп. точки доступа: Галиев, Г. Б. (доктор физико-математических наук) Буряков, А. М. Билык, В. Р. Хусяинов, Д. И. Мишина, Е. Д. (доктор физико-математических наук) Климов, Е. А. (кандидат физико-математических наук) Клочков, А. Н. (кандидат физико-математических наук) Пушкарев, С. С. (кандидат физико-математических наук) Васильевский, И. С. (кандидат физико-математических наук) Грехов, М. М. (кандидат физико-математических наук) Трунькин, И. Н. Васильев, Александр Леонидович (кандидат физико-математических наук)