Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Gao W. J., Su J. X., Xie L., Deng C. L., Zhang T., Lu L. D. Заглавие : The point mutation induced by the low-energy n+ ion implantation in Impatiens balsamine genome Серия: Генетика растений Место публикации : Генетика. - 2012. - Т. 48, № 10. - С.1179-1184: 2 рис., 4 табл. - ISSN 0016-6758 (Шифр gene/2012/48/10). - ISSN 0016-6758 Примечания : Библиогр.: с. 1183-1184 (25 назв. ) УДК : 575 ББК : 28.04 Предметные рубрики: Биология Общая генетика Аннотация: Полученные результаты показывают, что ионы низких энергий являются ценным мутагеном, вызывающим у Impatiens balsamine в основном точковые мутации. Держатели документа: ТОНБ Доп. точки доступа: Gao, W. J. Su, J. X. Xie, L. Deng, C. L. Zhang, T. Lu, L. D.