Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Данилов Ю. А., Кудрин А. В., Лесников В. П., Вихрова О. В., Крюков Р. Н., Антонов И. Н., Толкачев Д. С., Алафердов А. В., Кунькова З. Э., Темирязева М. П., Темирязев А. Г. Заглавие : Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А{3}В{5}, сильно легированных железом Серия: Полупроводники Место публикации : Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 11. - С.2137-2140: 3 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр Ф6/2018/11). - ISSN 0367-3294 Примечания : Библиогр. в конце ст. (17 назв.) УДК : 537.311.33 ББК : 22.379 Предметные рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков --Россия --Нижний Новгород, 2018 г. Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): gasb--inas--insb--железо--импульсное лазерное нанесение--лазерное нанесение--легирование железом--полупроводники--свойства полупроводников--симпозиумы Аннотация: Экспериментально исследованы слои полупроводников InAs, InSb и GaSb, сильнолегированных железом в процессе выращивания методом импульсного лазерного нанесения. Держатели документа: ТОНБ Доп. точки доступа: Данилов, Ю. А. Кудрин, А. В. Лесников, В. П. Вихрова, О. В. Крюков, Р. Н. Антонов, И. Н. Толкачев, Д. С. Алафердов, А. В. Кунькова, З. Э. Темирязева, М. П. Темирязев, А. Г.