Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Иванов П. А., Потапов А. С., Грехов И. В. Заглавие : Влияние частичной ионизации легирующих примесей в 4H-SiC на емкость обратносмещенного p+-i-n+-диода Серия: Краткие сообщения Место публикации : Журнал технической физики. - 2018. - Т. 88, № 6. - С.955-958. - ISSN 0044-4642 (Шифр Ж9/2018/6). - ISSN 0044-4642 Примечания : Библиогр.: c. 958 (6 назв. ) УДК : 621.382 ББК : 32.852 Предметные рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ионизация примесей--частичная ионизация--легирующие примеси--обратносмещенные диоды--полупроводниковые диоды--p+-i-n+-диоды--переходные процессы--численное моделирование--среда silvaco tcad--время заряда--емкостные элементы Аннотация: Проведено численное моделирование переходного процесса в RC-цепи с обратносмещенным 4H-SiC p+-i-n+-диодом в качестве емкостного элемента (в среде SILVACO TCAD). Держатели документа: ТОНБ Доп. точки доступа: Потапов, А. С. Грехов, И. В.