Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Муратова Е. Н., Мошников В. А., Лучинин В. В., Бобков А. А., Врублевский И. А., Чернякова К. В., Теруков Е. И. Заглавие : Теплопроводящие платы на основе алюминия с наноструктурированным слоем Al[2]O[3] для изделий силовой электроники Серия: Твердотельная электроника Место публикации : Журнал технической физики. - 2018. - Т. 88, № 11. - С.1678-1680. - ISSN 0044-4642 (Шифр Ж9/2018/11). - ISSN 0044-4642 Примечания : Библиогр.: с. 1680 (10 назв. ) УДК : 621.382 ББК : 32.852 Предметные рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): теплопроводящие платы--алюминий--оксид алюминия--наноструктурированный оксид алюминия--силовая электроника--мощные полевые транзисторы--полевые транзисторы Аннотация: Представлены результаты исследований электрических и тепловых характеристик плат на основе алюминия с наноструктурированным слоем анодного оксида алюминия и медными проводниками для монтажа мощных полевых транзисторов. Показано, что наличие тонкого диэлектрического слоя и толстой алюминиевой основы с высокой теплопроводностью обеспечивает равномерное распределение генерируемого активным элементом тепла по всему объему платы без образования локальных областей с повышенной температурой. Результаты экспериментов свидетельствуют о том, что значение градиента температуры между источником нагрева и поверхностью анодного оксида алюминия составляет величину порядка 17-18{o}C при удельной поверхностной мощности нагрева 4. 4 W/cm{2}. Держатели документа: ТОНБ Доп. точки доступа: Муратова, Е. Н. Мошников, В. А. Лучинин, В. В. Бобков, А. А. Врублевский, И. А. Чернякова, К. В. Теруков, Е. И. |