Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Алфимова Д. Л., Лунин Л. С., Лунина М. Л., Казакова А. Е., Пащенко А. С., Чеботарев С. Н. Заглавие : Синтез и свойства гетероструктур In[x]Al[y]Ga[1-x-y]P[z]As[1-z]/GaAs Место публикации : Неорганические материалы. - 2017. - Т. 53, № 12. - С.1245-1256: 6 рис., 6 табл. - ISSN 0002-337X (Шифр Н23/2017/12). - ISSN 0002-337X Примечания : Библиогр.: с. 1255-1256 (23 назв. ) УДК : 546 ББК : 24.12 Предметные рубрики: Химия Химические элементы и их соединения Аннотация: В рамках модели простых растворов проведен анализ фазовых равновесий в системе In-Al-Ga-P-As. Для диапазона температур 937-1223 К рассчитаны границы существования твердого раствора InAlGaPAs, синтезированного на подложке GaAs. Добавление индия в твердый раствор AlGaPAs приводит к незначительному уменьшению скорости роста в диффузионном режиме и значительному увеличению в кинетическом режиме. Показано, что с добавлением индия в твердый раствор AlGaPAs полуширина пика кривой дифракционного отражения и фотолюминесценции уменьшается. При этом увеличивается интенсивность фотолюминесценции. Повышение концентрации индия x 0. 3 в твердом растворе In[x]Al[y]Ga[1-x-y]P[z]As[1-z] расширяет область существования, увеличивает ширину запрещенной зоны, уменьшает пределы составов изопериодных гетероструктур In[x]Al[y]Ga[1-x-y]P[z]As[1-z]/GaAs, но делает их согласованными по коэффициенту термического расширения (изоэкспандными). Установлено, что с увеличением концентрации индия в твердом растворе уменьшается коэффициент распределения для P и As и повышается для Al и In. Держатели документа: ТОНБ Доп. точки доступа: Алфимова, Д. Л. Лунин, Л. С. Лунина, М. Л. Казакова, А. Е. Пащенко, А. С. Чеботарев, С. Н.