Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Буряков А. М., Билык В. Р., Галиев Г. Б., Климов Е. А., Мальцев, П. П., Петр Павлович, Пушкарев С. С. Заглавие : Генерация терагерцового излучения низкотемпературными мультислойными эпитаксиальными пленками i/-LT-GaAs/n-GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А Параллельн. заглавия :Generation of Terahertz Radiation by Low-Temperature Multilayer Epitaxial Films of I-LT-GaAs/n-GaAs on GaAs Substrates with (100) and (111)A Orientations Серия: Материаловедческие и технологические основы МНСТ Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2017. - Т. 19, № 2. - С.77-84: 6 рис. - ISSN 1813-8586 (Шифр mite/2017/19/2). - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. в конце ст. (13 назв.). - Текст парал.: рус., англ. УДК : 535.33 ББК : 22.344 Предметные рубрики: Физика Спектроскопия Аннотация: Исследована эффективность генерации ТГц-излучения мультислойными пленками i-LT-GaAs/n-GaAs, выращенными методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111) А. Доп. точки доступа: Буряков, А. М. Билык, В. Р. Галиев, Г. Б. Климов, Е. А. Мальцев, П. П., Петр Павлович (доктор технических наук) Пушкарев, С. С.