Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Галиев Р. Р., Ячменев А. Э., Бугаев А. С., Галиев Г. Б., Федоров Ю. В., Климов Е. А., Хабибуллин Р. А., Пономарев Д. С., Мальцев П. П. Заглавие : Перспективные материалы электронно-компонентной базы для создания детекторов и генераторов ТГц-диапазона частот (0.5-5.0 ТГц) Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2016. - Т. 80, № 4. - С.522-524: рис. - ISSN 0367-6765 (Шифр И14/2016/4). - ISSN 0367-6765 Примечания : Библиогр.: c. 524 (10 назв. ) УДК : 621.315.592 ББК : 31.233 Предметные рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): медицинская диагностика--неразрушающий контроль--низкотемпературный gaas--терагерцевые транзисторы--фотопроводящие антенны Аннотация: В работе разработан терагерцевый транзистор на основе метаморфной наногетероструктуры с частотой генерации f[max] = 0. 63 ТГц при длине "зигзагообразного" затвора транзистора L[g] = 46 нм. Изготовлена серия структур "низкотемпературного" GaAs, на основе которых разработаны фотопроводящие антенны c частотой генерации свыше 1. 5-2 ТГц. Держатели документа: ТОНБ Доп. точки доступа: Галиев, Р. Р. Ячменев, А. Э. Бугаев, А. С. Галиев, Г. Б. Федоров, Ю. В. Климов, Е. А. Хабибуллин, Р. А. Пономарев, Д. С. Мальцев, П. П.