Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Горшков А. П., Волкова Н. С., Карпович И. А., Здоровейщев А. В., Полова И. А. Заглавие : Фотоэлектрические свойства бимодальных массивов квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2013. - Т. 77, № 1. - С.61-63. - ISSN 0367-6765 (Шифр И14/2013/1). - ISSN 0367-6765 Примечания : Библиогр.: с. 63 (7 назв. ) УДК : 621.382 ББК : 32.852 Предметные рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений--гетеронаноструктуры inas/gaas--квантовые точки--температурная зависимость--фотоэлектрические спектры Аннотация: Показано, что исследование формы фотоэлектрического спектра от квантовых точек InAs/GaAs и его температурной зависимости позволяет выявлять образование бимодальных массивов квантовых точек. Держатели документа: ТОНБ Доп. точки доступа: Горшков, А. П. Волкова, Н. С. Карпович, И. А. Здоровейщев, А. В. Полова, И. А.