Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Марков А. В., Панов М. Ф., Растегаев В. П., Севостьянов Е. Н., Трушлякова В. В. Заглавие : Неразрушающий контроль поверхности, слоев и концентрации носителей заряда в подложках и структурах SiC Серия: Твердое тело Место публикации : Журнал технической физики. - 2019. - Т. 89, № 12. - С.1869-1874. - ISSN 0044-4642 (Шифр Ж9/2019/89/12). - ISSN 0044-4642 Примечания : Библиогр.: с. 1874 (10 назв. ) УДК : 539.2 ББК : 22.37 Предметные рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): неразрушающий контроль--карбид кремния--карбидокремниевые подложки--эпитаксиальные структуры--шероховатость--эллипсометрия--атомно-силовая микроскопия--ик спектроскопия--инфракрасная спектроскопия--растровая электронная микроскопия Аннотация: Неразрушающими бесконтактными методами исследованы карбидокремниевые подложки и эпитаксиальные структуры. Параметры нарушенного поверхностного слоя и шероховатости определены методами эллипсометрии и атомно-силовой микроскопии. Концентрация свободных носителей заряда определена методом ИК спектроскопии. Толщины в многослойной эпитаксиальной структуре на SiC определены с помощью ИК спектроскопии и растровой электронной микроскопии. Держатели документа: ТОНБ Доп. точки доступа: Марков, А. В. Панов, М. Ф. Растегаев, В. П. Севостьянов, Е. Н. Трушлякова, В. В.