Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Ильинский А. В., Кастро Р. А., Пашкевич М. Э., Шадрин Е. Б. Заглавие : Диэлектрическая спектроскопия как метод исследования тонких пленок диоксида ванадия Серия: Твердое тело Место публикации : Журнал технической физики. - 2019. - Т. 89, № 12. - С.1885-1890. - ISSN 0044-4642 (Шифр Ж9/2019/89/12). - ISSN 0044-4642 Примечания : Библиогр.: с. 1890 (6 назв. ) УДК : 539.2 + 535.33 ББК : 22.37 + 22.344 Предметные рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Спектроскопия Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диэлектрическая спектроскопия--диоксид ванадия--тонкие пленки--тангенс угла диэлектрических потерь--тонкая структура спектров--коул-коул диаграмма Аннотация: Исследованы диэлектрические спектры образцов тонких (1200 Angstrem) пленок диоксида ванадия - материала с сильными электронными корреляциями. Исследованы как нелегированные, так и легированные германием пленки VO[2]: Ge. Для последних обнаружен дополнительный максимум в частотном спектре тангенса угла диэлектрических потерь. Изучена тонкая структура спектров и выполнена физическая интерпретация двух максимумов на частотной зависимости тангенса угла диэлектрических потерь и двух полуокружностей на Коул-Коул диаграмме. Анализ результатов произведен на основе эквивалентных электрических схем образцов: одноконтурной RC-схемы для случая нелегированной пленки VO[2] и двухконтурной - для VO[2]: Ge. Определены численные значения параметров модельных схем. Держатели документа: ТОНБ Доп. точки доступа: Ильинский, А. В. Кастро, Р. А. Пашкевич, М. Э. Шадрин, Е. Б.