Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Дроздов М. Н., Демидов Е. В., Дроздов Ю. Н., Краев С. А., Шашкин В. И., Архипова Е. А., Лобаев М. А., Вихарев А. Л., Горбачев А. М., Радищев Д. Б., Исаев В. А., Богданов С. А.
Заглавие : Исследование формирования омических контактов Au/Mo/Ti с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза p-типа
Серия: Твердотельная электроника
Место публикации : Журнал технической физики. - 2019. - Т. 89, № 12. - С.1923-1932. - ISSN 0044-4642 (Шифр Ж9/2019/89/12). - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: с. 1931-1932 (27 назв. )
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): омические контакты--алмазы--эпитаксиальные слои--золото--молибден--титан--отжиг--вторично-ионная масс-спектрометрия--защитные слои
Аннотация: Изучено формирование омических контактов Au/Mo/Ti к эпитаксиальным пленкам алмаза p-типа. Исследовано влияние отжига на электрические и структурные свойства контактов. Показано, что при быстром термическом отжиге внешний слой золота защищает контактную систему от окисления вплоть до температуры 850{o}C в отличие от упрощенной системы Au/Ti, распространенной в современных работах. В структурах Au/Ti без слоя Mo после высокотемпературного отжига происходит эффективная диффузия титана в слой золота, что снижает его защитные свойства и ускоряет процесс диффузии кислорода к границе с алмазом. Окисление контактной области Ti/C блокирует формирование проводящего слоя карбида титана с высокой адгезией на границе с алмазом. Сопоставлена роль различных факторов в снижении контактного сопротивления: отжига для формирования карбида титана, сильного легирования алмаза атомами бора и кристаллического совершенства эпитаксиальных подложек алмаза. Для легированных эпитаксиальных пленок, выращенных на подложках качества "single sector", получены невплавные омические контакты с рекордным контактным сопротивлением 4*10{-7} Omega*cm{2}.
Держатели документа:
ТОНБ

Доп. точки доступа:
Дроздов, М. Н.
Демидов, Е. В.
Дроздов, Ю. Н.
Краев, С. А.
Шашкин, В. И.
Архипова, Е. А.
Лобаев, М. А.
Вихарев, А. Л.
Горбачев, А. М.
Радищев, Д. Б.
Исаев, В. А.
Богданов, С. А.