Базы данных


Электронный каталог книг- результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог книг
Патентная и нормативно-техническая документация
Краеведение
Журналы. Газеты. Статьи
КОЛЛЕКЦИИ
Область поиска
 Найдено в других БД:Журналы. Газеты. Статьи (5)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>R=47.09.29$<.>)
Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 32.85/К 65
Заглавие : Конференция по электронным материалам : тез. докл.
Выходные данные : Новосибирск: ИНХ: ИФП, 1992
Колич.характеристики :345 с.: ил.; 21 см
Коллективы : Конференция по электронным материалам (9-15 авг. 1992;Новосибирск) , Российская академия наук, Сибирское отделение (Новосибирск). Институт неорганической химии им. А. В. Николаева, Российская академия наук, Сибирское отделение (Новосибирск). Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова, Российская академия наук, Сибирское отделение. Научный совет по проблемам "Физико-химической основы полупроводникового материала", Азиатско-Тихоокеанское общество по исследованию передовых материалов
Примечания : Библиогр. в конце докл. :
ГРНТИ : 47.09.29 + 45.09.35 + 29.19.31
ББК : 32.85-03
Предметные рубрики: Электронные приборы-- Материалы
Экземпляры :КХ (С 4)(1)
Свободны : КХ (С 4)(1)
Найти похожие
2.


    (Свободных экземпляров нет)
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 6П2.15/М26
Автор(ы) : Маркова, Валентина Николаевна, Гоженко, Нонна Анатольевна
Заглавие : Малютки ПТ
Выходные данные : Киев: Наукова думка, 1965
Колич.характеристики :71 с.: il.; 20 см :
ГРНТИ : 47.09.29
Предметные рубрики: Триоды полупроводниковые
Экземпляры :ДП1(1)
Найти похожие
3.

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : 32.85/Х 95
Автор(ы) : Хрулев, Аркадий Квинтилианович
Заглавие : Диоды и их зарубежные аналоги: справочник : в 3 т./ А. К Хрулев, В. П. Черепанов. Т. 1
Выходные данные : Москва: РадиоСофт, 1999
Колич.характеристики :640 с.: ил.
ISBN, Цена 5-85554-171-1: Б.ц.
ГРНТИ : 47.09.29
ББК : 32.852.2я22
Предметные рубрики: Диоды полупроводниковые
Экземпляры :КХ (С 4)(1)
Свободны : КХ (С 4)(1)
Найти похожие
4.

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : 32.85/Х 95
Автор(ы) : Хрулев, Аркадий Квинтилианович
Заглавие : Диоды и их зарубежные аналоги: справочник : в 3 т./ А. К. Хрулев, В. П. Черепанов. Т. 2
Выходные данные : Москва: РадиоСофт, 1999
Колич.характеристики :640 с.: ил.
ISBN, Цена 5-85554-173-8: Б.ц.
ГРНТИ : 47.09.29
ББК : 32.852.2я22
Предметные рубрики: Диоды полупроводниковые
Экземпляры :КХ (С 4)(1)
Свободны : КХ (С 4)(1)
Найти похожие
5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 32.843/Т 38
Автор(ы) : Кожитов, Лев Васильевич, Косушкин, Виктор Григорьевич, Крапухин, Всеволод Валерьевич, Пархоменко, Юрий Николаевич
Заглавие : Технология материалов микро- и наноэлектроники : науч. изд.
Выходные данные : Москва: МИСИС, 2007
Колич.характеристики :542, [1] с.: ил.
Серия: Металлургия и материаловедение XXI века: К 75 - летию Московского Государственного института стали и сплавов (Технологического университета)
Примечания : Библиогр. в конце гл.
ISBN, Цена 978-5-87623-132-7:
ГРНТИ : 47.09.29
ББК : 32.843.308
Предметные рубрики: Полупроводниковые материалы-- Производство
Экземпляры : всего : КХ (С 5)(2)
Свободны : КХ (С 5)(2)
Найти похожие
6.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 32.844/Г 12
Автор(ы) : Гаврилов, Сергей Александрович, Белов, Алексей Николаевич
Заглавие : Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники : учеб. пособие для студентов вузов
Выходные данные : Москва: Высшее образование, 2009
Колич.характеристики :257 с.: ил., граф., табл.
Серия: Основы наук
Примечания : Библиогр.: с. 256-257
ISBN, Цена 978-5-9692-0304-4:
ГРНТИ : 47.09.29 + 47.13
ББК : 32.844.1я73 + 32.843.308я73
Предметные рубрики: Микроэлектронная аппаратура
Полупроводниковые материалы-- Производство
Экземпляры : всего : КХ (С 5)(2)
Свободны : КХ (С 5)(2)
Найти похожие
7.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 32/Б 43
Автор(ы) : Белоус, Анатолий Иванович, Ефименко, Сергей Афанасьевич, Турцевич, Аркадий Степанович
Заглавие : Полупроводниковая силовая электроника
Выходные данные : Москва: Техносфера, 2013
Колич.характеристики :214 с.: ил.
Серия: Мир электроники; 7, 49
Примечания : Библиогр.: с. 206-214
ISBN (в пер.), Цена 978-5-94836-367-7:
ГРНТИ : 47.09.29
ББК : 32.853.1
Предметные рубрики: Полупроводниковые приборы силовые
Экземпляры :КХ (С 5)(1)
Свободны : КХ (С 5)(1)
Найти похожие
8.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 32/Б 95
Автор(ы) : Бычков, Андрей Александрович
Заглавие : Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур : монография
Выходные данные : Москва: РУСАЙНС, 2021
Колич.характеристики :98 с.: ил.; 20 см
Примечания : Библиогр.: с. 92-98 (84 назв.)
ISBN, Цена 978-5-4365-6942-0: 677.34, р.
ГРНТИ : 47.09.29
ББК : 32.843.31. LBC/M
Предметные рубрики: Полупроводниковые пленки-- Релаксация
Полупроводниковые наноструктуры
Содержание : Механизмы релаксации напряжений в полупроводниковых пленках и методы их моделирования ; Влияние дефектов на равновесную форму полупроводниковой пленки ; Расчет равновесного распределения компонент сплава SiGe в островках Странского-Крастанова ; Расчет влияния дефектов на форму равновесной поверхности полупроводниковой пленки на подложке
Аннотация: В книге рассматриваются вопросы релаксации полупроводниковой пленки за счет энергии деформации. Учитывается одновременно изменение упругой энергии несоответствия, как за счет дислокационной перестройки, так и за счет механизма неоднородного распределения состава компонент пленки. Сформулированы системы уравнений описывающих процессы релаксации. Построены компьютерные модели пленки SiGe нанометровой толщины на Si подложке и SiGe островков нанометровых размеров на смачивающем слое, учитывающие влияние механодиффузии, наличие дислокаций несоответствия, туннельных трещин, проникающих и винтовых дислокаций. Выполнены расчеты построенных моделей с использованием метода конечных элементов, аппроксимирующих формул и итерационного алгоритма. Особое внимание уделено подробному обсуждению полученных результатов и соответствующим выводам. Представленные результаты помогают определить оптимальные режимы выращивания наноразмерных эпитаксиальных гетероструктур. Монография подготовлена в Южном федеральном университете. Для студентов, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области механики деформируемого твердого тела.
Экземпляры :КХ (С 6)(1)
Свободны : КХ (С 6)(1)
Найти похожие
9.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 32/T99
Автор(ы) : Tyagi, Man S.
Заглавие : Introduction to semiconductor materials and devices
Выходные данные : New York: Wiley, 1991
Колич.характеристики :669, [1] p.: граф.; 26 см
Примечания : Текст англ. - Библиогр. в конце частей. - Указ.: с. 657-669
ISBN (в пер.), Цена 0-471-60560-3: 6500.00, р.
ГРНТИ : 47.09.29
ББК : 32.843.3. LBC/M
Предметные рубрики: Полупроводники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): английский язык
Экземпляры :КХ (С 8)(1)
Свободны : КХ (С 8)(1)
Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)