Тюменская областная научная библиотека

Базы данных

Электронный каталог книг- результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог книг

Патентная и нормативно-техническая документация

Краеведение

Журналы. Газеты. Статьи

КОЛЛЕКЦИИ

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Бычков, Андрей Александрович$<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

   22
   Б 95

    Бычков, Андрей Александрович (кандидат физико-математических наук).
    Устойчивость вязкопластического деформирования при растяжении : монография / А. А. Бычков. - Москва : РУСАЙНС, 2016. - 90, [1] с. : ил. ; 21 см. - Библиогр.: с. 86-91 (73 назв.). - 1000 экз.. - ISBN 978-5-4365-1313-3 : 880.00 р.

ГРНТИ

30.19

ББК 22.251

Рубрики:
Механика деформируемых тел -- Монографии
Пластические деформации -- Монографии

Кл.слова (ненормированные): деформация твердых тел -- электрический ток -- водород
Аннотация: В книге рассматриваются вопросы устойчивости однородного деформирования при растяжении стержня из термовязкопластичного материала и воздействии на него электрического тока и растворенного водорода. Сформулированы системы уравнений описывающих пластическое деформирование пористого стержня с учетом действия электрического тока и водородной хрупкости. Исследована устойчивость однородного решения полученных систем дифференциальных уравнений в частных производных и выполнен численный расчет эволюции механических и тепловых полей в исследуемом стержне.

Держатели документа:
Тюменская ОНБ : Орджоникидзе, 59
Экземпляры всего: 1
КХ (С 6) (1)
Свободны: КХ (С 6) (1)
Найти похожие

   32
   Б 95

    Бычков, Андрей Александрович.
    Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур : монография / А. А. Бычков. - Москва : РУСАЙНС, 2021. - 98 с. : ил. ; 20 см. - Библиогр.: с. 92-98 (84 назв.). - 1000 экз.. - ISBN 978-5-4365-6942-0 : 677.34 р.
    Содержание:
Механизмы релаксации напряжений в полупроводниковых пленках и методы их моделирования
Влияние дефектов на равновесную форму полупроводниковой пленки
Расчет равновесного распределения компонент сплава SiGe в островках Странского-Крастанова
Расчет влияния дефектов на форму равновесной поверхности полупроводниковой пленки на подложке

ГРНТИ

47.09.29

ББК 32.843.31

Рубрики:
Полупроводниковые пленки -- Релаксация -- Монографии
Полупроводниковые наноструктуры -- Монографии

Аннотация: В книге рассматриваются вопросы релаксации полупроводниковой пленки за счет энергии деформации. Учитывается одновременно изменение упругой энергии несоответствия, как за счет дислокационной перестройки, так и за счет механизма неоднородного распределения состава компонент пленки. Сформулированы системы уравнений описывающих процессы релаксации. Построены компьютерные модели пленки SiGe нанометровой толщины на Si подложке и SiGe островков нанометровых размеров на смачивающем слое, учитывающие влияние механодиффузии, наличие дислокаций несоответствия, туннельных трещин, проникающих и винтовых дислокаций. Выполнены расчеты построенных моделей с использованием метода конечных элементов, аппроксимирующих формул и итерационного алгоритма. Особое внимание уделено подробному обсуждению полученных результатов и соответствующим выводам. Представленные результаты помогают определить оптимальные режимы выращивания наноразмерных эпитаксиальных гетероструктур. Монография подготовлена в Южном федеральном университете. Для студентов, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области механики деформируемого твердого тела.

Держатели документа:
Тюменская ОНБ : ул. Орджоникидзе, 59
Экземпляры всего: 1
КХ (С 6) (1)
Свободны: КХ (С 6) (1)
Найти похожие

Тематический навигатор

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)