Тюменская областная научная библиотека

Базы данных

Патентная и нормативно-техническая документация- результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог книг

Патентная и нормативно-техническая документация

Краеведение

Журналы. Газеты. Статьи

КОЛЛЕКЦИИ

Область поиска

Найдено в других БД:

Электронный каталог книг (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>A=Фролов, Илья Владимирович$<.>)

Общее количество найденных документов : 1

   32
   Ф 91

    Фролов, Илья Владимирович (канд. техн. наук).
    Диагностический контроль качества светодиодов по локальным параметрам электролюминесценции и фототока : монография / И. В. Фролов, В. А. Сергеев. - Москва : СОЛОН-Пресс, 2023. - 159 с. : ил., табл. ; 21 см. - (Библиотека инженера). - Библиогр.: с. 144-157 (168 назв.). - 500 экз.. - ISBN 978-5-91359-516-4 : 565.88 р.
    Содержание:
Контроль качества светоизлучающих гетероструктур по электрофизическим и электрооптическим характеристикам
Влияние дефектов гетероструктур на параметры излучательной и безызлучательной рекомбинации
Определение рекомбинационных параметров гетероструктур по характеристикам электролюминесценции
Измерение граничной частоты электролюминесценции в локальных областях светоизлучающих гетероструктур
Диагностика светоизлучающих гетероструктур по локальным параметрам электролюминесценции
Диагностика светоизлучающих гетероструктур методами фотоэлектрической спектроскопии с локальным фотовозбуждением
Изменение параметров электролюминесценции в локальных областях гетероструктуры в процессе испытаний светодиодов

ГРНТИ

47.33.29

29.19.31

ББК 32.854.13

Рубрики:
Светодиоды -- Монографии

Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые приборы -- фотоэлектрические приборы
Аннотация: Представлено описание оригинальных методов и средств контроля качества светодиодов на основе гетероструктур с квантовыми ямами по электрофизическим и электрооптическим характеристикам. Особое внимание уделено способам диагностики дефектов светоизлучающих InGaN/GaN гетеро-структур по статическим и динамическим параметрам электролюминесценции и фотоэлектрического отклика, измеренным в локальных областях кристалла светодиода. Рассматриваются модели деградации светодиодов на основе InGaN/GaN гетеро-структур, учитывающие неоднородное распределение дефектов в активной области. Представлено описание оригинальных методов и средств контроля качества светодиодов на основе гетероструктур с квантовыми ямами по электрофизическим и электрооптическим характеристикам. Особое внимание уделено способам диагностики дефектов светоизлучающих InGaN/GaN гетеро-структур по статическим и динамическим параметрам электролюминесценции и фотоэлектрического отклика, измеренным в локальных областях кристалла светодиода. Рассматриваются модели деградации светодиодов на основе InGaN/GaN гетеро-структур, учитывающие неоднородное распределение дефектов в активной области.

Держатели документа:
Тюменская ОНБ : ул. Орджоникидзе, 59

Доп. точки доступа:
Сергеев, Вячеслав Андреевич (д-р техн. наук ; 1953-)

Экземпляры всего: 1
КХ (С 11) (1)
Свободны: КХ (С 11) (1)
Найти похожие

Тематический навигатор

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)