Тюменская областная научная библиотека

Базы данных

Журналы. Газеты. Статьи- результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог книг

Патентная и нормативно-техническая документация

Краеведение

Журналы. Газеты. Статьи

КОЛЛЕКЦИИ

Область поиска

Найдено в других БД:

Электронный каталог книг (9)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>R=47.09.29$<.>)

Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9

   32.85
   К 65

    Конференция по электронным материалам (9-15 авг. 1992 ; Новосибирск).
    Конференция по электронным материалам : тез. докл. / Конференция по электронным материалам, Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т неорган. химии, Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников, Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Науч. совет по пробл. "Физ.-хим. основы полупроводникового материаловедения", Азиат.-Тихоокеан. о-во по исслед. передовых материалов. - Новосибирск : ИНХ : ИФП, 1992. - 345 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр. в конце докл. - 299 экз.. - 150.00 р.

ГРНТИ

47.09.29

45.09.35

29.19.31

ББК 32.85-03

Рубрики:
Электронные приборы -- Материалы -- Тезисы докладов

Держатели документа:
Тюменская ОНБ : ул. Орджоникидзе, 59

Доп. точки доступа:
Российская академия наук, Сибирское отделение (Новосибирск). Институт неорганической химии им. А. В. Николаева
Российская академия наук, Сибирское отделение (Новосибирск). Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова
Российская академия наук, Сибирское отделение. Научный совет по проблемам "Физико-химической основы полупроводникового материала"
Азиатско-Тихоокеанское общество по исследованию передовых материалов

Экземпляры всего: 1
КХ (С 4) (1)
Свободны: КХ (С 4) (1)
Найти похожие

   6П2.15
   М26

    Маркова, Валентина Николаевна.
    Малютки ПТ / В. Н. Маркова, Н. А. Гоженко. - Киев : Наукова думка, 1965. - 71 с. : il. ; 20 см. - 44000 экз.. - 0.11 р.

ГРНТИ

47.09.29

РУБ 6П2.15

Рубрики:
Триоды полупроводниковые

Держатели документа:
Тюменская ОНБ

Доп. точки доступа:
Гоженко, Нонна Анатольевна

Экземпляры всего: 1
ДП1 (1)
Свободных экз. нет
Найти похожие

   32.85
   Х 95

   Хрулев, Аркадий Квинтилианович
    Диоды и их зарубежные аналоги : справочник : в 3 т. / А. К Хрулев, В. П. Черепанов. - Москва : РадиоСофт, 1998 - . - Текст : непосредственный.
   Т. 1. - 1999. - 640 с. : ил. - ISBN 5-85554-171-1 : Б. ц.

ГРНТИ

47.09.29

ББК 32.852.2я22

Рубрики:
Диоды полупроводниковые -- Справочники

Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые приборы

Держатели документа:
Тюменская ОНБ

Доп. точки доступа:
Черепанов, Вадим Павлович

Экземпляры всего: 1
КХ (С 4) (1)
Свободны: КХ (С 4) (1)
Найти похожие

   32.85
   Х 95

   Хрулев, Аркадий Квинтилианович
    Диоды и их зарубежные аналоги : справочник : в 3 т. / А. К. Хрулев, В. П. Черепанов. - Москва : РадиоСофт, 1998 - . - Текст : непосредственный.
   Т. 2. - 1999. - 640 с. : ил. - ISBN 5-85554-173-8 : Б. ц.

ГРНТИ

47.09.29

   32.843
   Т 38


    Технология материалов микро- и наноэлектроники : науч. изд. / Л. В. Кожитов, В. Г. Косушкин [и др.]. - Москва : МИСИС, 2007. - 542, [1] с. : ил. - (Металлургия и материаловедение XXI века : к 75 - летию Московского Государственного института стали и сплавов (Технологического университета)). - Библиогр. в конце гл. - ISBN 978-5-87623-132-7 : 421.08 р.

ГРНТИ

47.09.29

ББК 32.843.308

Рубрики:
Полупроводниковые материалы -- Производство

Держатели документа:
Тюменская ОНБ

Доп. точки доступа:
Кожитов, Лев Васильевич
Косушкин, Виктор Григорьевич
Крапухин, Всеволод Валерьевич
Пархоменко, Юрий Николаевич

Экземпляры всего: 2
КХ (С 5) (2)
Свободны: КХ (С 5) (2)
Найти похожие

   32.844
   Г 12

    Гаврилов, Сергей Александрович.
    Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники : учеб. пособие для студентов вузов / С. А. Гаврилов, А. Н. Белов. - Москва : Высшее образование, 2009. - 257 с. : ил., граф., табл. - (Основы наук). - Библиогр.: с. 256-257. - ISBN 978-5-9692-0304-4 : 152.20 р., 300.00 р.

ГРНТИ

47.09.29

47.13

ББК 32.844.1я73 + 32.843.308я73

Рубрики:
Микроэлектронная аппаратура
Полупроводниковые материалы -- Производство -- Учебные издания для высших учебных заведений

Кл.слова (ненормированные): радиоэлектроника -- радиотехника -- радиоэлектронная аппаратура -- микроэлектроника -- наноэлектроника -- электродные процессы -- микро- и наноструктуры -- катодное осаждение

Держатели документа:
Тюменская ОНБ

Доп. точки доступа:
Белов, Алексей Николаевич

Экземпляры всего: 2
КХ (С 5) (2)
Свободны: КХ (С 5) (2)
Найти похожие

   32
   Б 43

    Белоус, Анатолий Иванович.
    Полупроводниковая силовая электроника / А. И. Белоус, С. А. Ефименко, А. С. Турцевич. - Москва : Техносфера, 2013. - 214 с. : ил. - (Мир электроники ; 7, 49). - Библиогр.: с. 206-214. - 1000 экз.. - ISBN 978-5-94836-367-7 (в пер.) : 568.70 р.

ГРНТИ

47.09.29

ББК 32.853.1

Рубрики:
Полупроводниковые приборы силовые

Держатели документа:
Тюменская ОНБ

Доп. точки доступа:
Ефименко, Сергей Афанасьевич
Турцевич, Аркадий Степанович

Экземпляры всего: 1
КХ (С 5) (1)
Свободны: КХ (С 5) (1)
Найти похожие

   32
   Б 95

    Бычков, Андрей Александрович.
    Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур : монография / А. А. Бычков. - Москва : РУСАЙНС, 2021. - 98 с. : ил. ; 20 см. - Библиогр.: с. 92-98 (84 назв.). - 1000 экз.. - ISBN 978-5-4365-6942-0 : 677.34 р.
    Содержание:
Механизмы релаксации напряжений в полупроводниковых пленках и методы их моделирования
Влияние дефектов на равновесную форму полупроводниковой пленки
Расчет равновесного распределения компонент сплава SiGe в островках Странского-Крастанова
Расчет влияния дефектов на форму равновесной поверхности полупроводниковой пленки на подложке

ГРНТИ

47.09.29

ББК 32.843.31

Рубрики:
Полупроводниковые пленки -- Релаксация -- Монографии
Полупроводниковые наноструктуры -- Монографии

Аннотация: В книге рассматриваются вопросы релаксации полупроводниковой пленки за счет энергии деформации. Учитывается одновременно изменение упругой энергии несоответствия, как за счет дислокационной перестройки, так и за счет механизма неоднородного распределения состава компонент пленки. Сформулированы системы уравнений описывающих процессы релаксации. Построены компьютерные модели пленки SiGe нанометровой толщины на Si подложке и SiGe островков нанометровых размеров на смачивающем слое, учитывающие влияние механодиффузии, наличие дислокаций несоответствия, туннельных трещин, проникающих и винтовых дислокаций. Выполнены расчеты построенных моделей с использованием метода конечных элементов, аппроксимирующих формул и итерационного алгоритма. Особое внимание уделено подробному обсуждению полученных результатов и соответствующим выводам. Представленные результаты помогают определить оптимальные режимы выращивания наноразмерных эпитаксиальных гетероструктур. Монография подготовлена в Южном федеральном университете. Для студентов, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области механики деформируемого твердого тела.

Держатели документа:
Тюменская ОНБ : ул. Орджоникидзе, 59
Экземпляры всего: 1
КХ (С 6) (1)
Свободны: КХ (С 6) (1)
Найти похожие

   32
   T99

    Tyagi, Man S..
    Introduction to semiconductor materials and devices / M. S. Tyagi. - New York [etc.] : Wiley, 1991. - 669, [1] p. : граф. ; 26 см. - Текст англ. - Библиогр. в конце частей. - Указ.: с. 657-669. - ISBN 0-471-60560-3 (в пер.) : 6500.00 р.
Перевод заглавия: Введение в полупроводниковые материалы и устройства

ГРНТИ

47.09.29

ББК 32.843.3

Рубрики:
Полупроводники

Кл.слова (ненормированные): английский язык

Держатели документа:
Тюменская ОНБ : ул. Орджоникидзе, 59
Экземпляры всего: 1
КХ (С 8) (1)
Свободны: КХ (С 8) (1)
Найти похожие

Тематический навигатор

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)