П 53 Полупроводниковые приборы и преобразовательные устройства : темат. науч.-техн. сб. / Морд. ун-т; ред. Е. В. Русаков. - Саранск : [б. и.], 1973 - . - Текст : непосредственный. Вып. 2. - 1973. - 225 с. : ил. - Библиогр. в конце ст. - 1.40 р.
Рубрики: Преобразователи полупроводниковые -- Сборники Держатели документа: Тюменская ОНБ Доп. точки доступа: Русаков, Е. В.\ред.\ Мордовский университет им. Н. П. Огарева Экземпляры всего: 1 ДП (1) Свободны: ДП (1) |
А 42 Аксенов, Алексей Иванович. Отечественные полупроводниковые приборы : транзисторы биполярные, диоды, варикапы, стабилитроны и стабисторы, тиристоры, оптоэлектронные приборы : аналоги отечественных и зарубежных приборов : справ. пособие / А. И. Аксенов, А. В. Нефедов. - 6-е издание, исправленное и дополненное. - Москва : СОЛОН-Пресс, 2008. - 591 с. : ил., табл. - (Компоненты и технологии). - ISBN 978-5-91359-043-5 : 328.60 р.
Рубрики: Полупроводниковые приборы -- Справочники Кл.слова (ненормированные): электронные приборы Держатели документа: Тюменская ОНБ Доп. точки доступа: Нефедов, Анатолий Владимирович Экземпляры всего: 1 КХ (С 8) (1) Свободны: КХ (С 8) (1) |
Т 45 Титце, Ульрих Полупроводниковая схемотехника : энциклопедия : в 2 т.: пер. с нем. / У. Титце, К. Шенк. - Москва : Додэка-XXI : ДМК. - (Схемотехника ). - Пер.загл.: Halbleiter-Schaltungstechnik. - Текст : непосредственный. Т. 2. - 2008. - 941 с. : ил., граф. - Библиогр. в конце разд. - 432.30 р. Тит. л. также на нем. яз.
Рубрики: Электроника -- Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): диоды -- биполярные транзисторы -- полевые транзисторы -- усилители -- операционные усилители -- релаксационные схемы -- основы цифровой техники -- комбинационные логические схемы -- переключающие схемы -- полупроводниковые запоминающие устройства Держатели документа: Тюменская ОНБ Доп. точки доступа: Шенк, Кристоф Экземпляры всего: 1 КХ (С 5) (1) Свободны: КХ (С 5) (1) |
Т 45 Титце, Ульрих Полупроводниковая схемотехника : энциклопедия : в 2 т.: пер. с нем. / У. Титце, К. Шенк. - Москва : Додэка-XXI : ДМК. - (Схемотехника ). - Пер.загл.: Halbleiter-Schaltungstechnik. - Текст : непосредственный. Т. 1. - 2008. - 827 с. : ил., граф. - Библиогр. в конце разд. - 432.30 р. Тит. л. также на нем. яз.
Рубрики: Электроника -- Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): диоды -- биполярные транзисторы -- полевые транзисторы -- усилители -- операционные усилители -- релаксационные схемы -- основы цифровой техники -- комбинационные логические схемы -- переключающие схемы -- полупроводниковые запоминающие устройства Держатели документа: Тюменская ОНБ Доп. точки доступа: Шенк, Кристоф Экземпляры всего: 1 КХ (С 5) (1) Свободны: КХ (С 5) (1) |
Ф 91 Фролов, Илья Владимирович (канд. техн. наук). Диагностический контроль качества светодиодов по локальным параметрам электролюминесценции и фототока : монография / И. В. Фролов, В. А. Сергеев. - Москва : СОЛОН-Пресс, 2023. - 159 с. : ил., табл. ; 21 см. - (Библиотека инженера). - Библиогр.: с. 144-157 (168 назв.). - 500 экз.. - ISBN 978-5-91359-516-4 : 565.88 р. Содержание: Контроль качества светоизлучающих гетероструктур по электрофизическим и электрооптическим характеристикам Влияние дефектов гетероструктур на параметры излучательной и безызлучательной рекомбинации Определение рекомбинационных параметров гетероструктур по характеристикам электролюминесценции Измерение граничной частоты электролюминесценции в локальных областях светоизлучающих гетероструктур Диагностика светоизлучающих гетероструктур по локальным параметрам электролюминесценции Диагностика светоизлучающих гетероструктур методами фотоэлектрической спектроскопии с локальным фотовозбуждением Изменение параметров электролюминесценции в локальных областях гетероструктуры в процессе испытаний светодиодов
Рубрики: Светодиоды -- Монографии Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые приборы -- фотоэлектрические приборы Аннотация: Представлено описание оригинальных методов и средств контроля качества светодиодов на основе гетероструктур с квантовыми ямами по электрофизическим и электрооптическим характеристикам. Особое внимание уделено способам диагностики дефектов светоизлучающих InGaN/GaN гетеро-структур по статическим и динамическим параметрам электролюминесценции и фотоэлектрического отклика, измеренным в локальных областях кристалла светодиода. Рассматриваются модели деградации светодиодов на основе InGaN/GaN гетеро-структур, учитывающие неоднородное распределение дефектов в активной области. Представлено описание оригинальных методов и средств контроля качества светодиодов на основе гетероструктур с квантовыми ямами по электрофизическим и электрооптическим характеристикам. Особое внимание уделено способам диагностики дефектов светоизлучающих InGaN/GaN гетеро-структур по статическим и динамическим параметрам электролюминесценции и фотоэлектрического отклика, измеренным в локальных областях кристалла светодиода. Рассматриваются модели деградации светодиодов на основе InGaN/GaN гетеро-структур, учитывающие неоднородное распределение дефектов в активной области. Держатели документа: Тюменская ОНБ : ул. Орджоникидзе, 59 Доп. точки доступа: Сергеев, Вячеслав Андреевич (д-р техн. наук ; 1953-) Экземпляры всего: 1 КХ (С 11) (1) Свободны: КХ (С 11) (1) |