Тюменская областная научная библиотека

Базы данных

Журналы. Газеты. Статьи- результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог книг

Патентная и нормативно-техническая документация

Краеведение

Журналы. Газеты. Статьи

КОЛЛЕКЦИИ

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Гращенко, А.$<.>)

Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Бессолов В. Н., Гращенко А. С., Коненкова Е. В., Мясоедов А. В., Осипов А. В., Редьков А. В., Родин С. Н., Рубец В. П., Кукушкин С. А.
Заглавие : Эффект воздействия n- и p-типа проводимости подложки Si(100) с буферным слоем SiC на механизм роста и структуру эпитаксиальных слоев полуполярных AlN и GaN
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2015. - Т. 57, вып. 10. - С.1916-1921: 6 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр Ф6/2015/10). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (9 назв.)
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): aln--gan--si подложка--sic--буферные слои--кристаллография в целом--подложки--проводимость--эпитаксиальные слои
Аннотация: Обнаружен новый эффект влияния типа легирования подложки Si (100) с пленкой SiC на механизм роста и структуру эпитаксиальных слоев AlN и GaN.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Гращенко А. С., Кукушкин С. А., Николаев В. И., Осипов А. В., Осипова Е. В., Сошников И. П.
Заглавие : Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок beta-Ga[2]O[3], синтезированных на подложках SiC/Si
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 5. - С.851-856: 5 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр Ф6/2018/5). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (22 назв.)
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): si--sic/si--анизотропные свойства--анизотропные упругопластические свойства--галлий--оксид галлия--пленки оксида галлия--подложки sic/si--упругопластические свойства
Аннотация: Исследованы структурные и механические свойства пленок оксида галлия, выращенных на кремнии на кристаллографических плоскостях (001), (011) и (111) с буферным слоем карбида кремния.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Редьков А. В., Гращенко А. С., Кукушкин С. А., Осипов А. В., Котляр К. П., Лихачев А. И., Нащекин А. В., Сошников И. П.
Заглавие : Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 3. - С.433-440: 6 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр Ф6/2019/61/3). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (21 назв.)
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): sic/si--ансамбли микропор--атомы--замещение атомов--микропоры--процесс роста
Аннотация: Исследована временная эволюция ансамбля микропор, формирующихся в приповерхностной области кремния в процессе роста тонких пленок карбида кремния методом замещения атомов.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Гращенко А. С., Кукушкин С. А., Осипов А. В.
Заглавие : Исследование упругих свойств пленок SiC, синтезированных на подложках Si методом замещения атомов
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 12. - С.2313-2315: 3 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр Ф6/2019/61/12). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (13 назв.)
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков --Россия --Санкт-Петербург, 2019 г.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): sic--юнга модуль--атомное замещение--доклады--карбид кремния--конференции--модуль юнга--наноиндентирование--пленки sic
Аннотация: Исследованы упругие свойства наномасштабной пленки карбида кремния, выращенной на кремниевой подложке методом замещения атомов.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Гращенко А., Кибец В.
Заглавие : Радиоуправляемая модель биплана
Серия: В мире моделей
Место публикации : Моделист-конструктор. - 2015. - № 2. - С.11-15: рис., черт. - ISSN 0131-2243 (Шифр М82/2015/2). - ISSN 0131-2243
УДК : 797
ББК : 75.725
Предметные рубрики: Физическая культура и спорт
Авиамодельный спорт
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): самодельные модели--модели--модели самолетов--модели бипланов--радиоуправляемые бипланы--самолеты
Аннотация: Радиоуправляемая модель биплана с двигателем МДС-6, 5 КУ по дизайну самолета DUO 40 фирмы Graupner. Описание конструкции, технология изготовления.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Гращенко А., Кибец В.
Заглавие : Жесткие крылья из пенопласта с бальзовой обшивкой
Серия: В мире моделей
Место публикации : Моделист-конструктор. - 2015. - № 2. - С.16: рис., черт. - ISSN 0131-2243 (Шифр М82/2015/2). - ISSN 0131-2243
УДК : 797
ББК : 75.725
Предметные рубрики: Физическая культура и спорт
Авиамодельный спорт
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): самодельные модели--модели--модели самолетов--модели бипланов--радиоуправляемый биплан--крылья самолетов--пенопластовые крылья--бальзовые обшивки крыльев
Аннотация: Радиоуправляемая модель биплана с двигателем МДС-6, 5 КУ по дизайну самолета DUO 40 фирмы Graupner по технологии постройки крыльев из пенопласта, с жесткой несущей обшивкой из бальзового шпона. Технология изготовления.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кукушкин С. А., Шарофидинов Ш. Ш., Осипов А. В., Гращенко А. С., Кандаков А. В., Осипова Е. В., Котляр К. П., Убыйвовк Е. В.
Заглавие : Самоорганизация состава пленок Al[x]Ga[1-x]N, выращенных на гибридных подложках SiC/Si
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 3. - С.363-369: 3 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр Ф6/2021/63/3). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (14 назв.)
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): sic/si--гибридные подложки--карбид кремния--подложки sic/si--твердые растворы--хлорид-гидридная эпитаксия--широкозонные полупроводники
Аннотация: Обнаружено явление самоорганизованного изменения состава эпитаксиальных слоев твердого раствора Al[x]Ga[1-x]N при их росте на гибридных подложках SiC/Si (111).
Найти похожие

Тематический навигатор

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)