Поисковый запрос: (<.>A=Данилов, Ю. А.$<.>) |
Общее количество найденных документов : 31
Показаны документы с 1 по 20 |
|
1.
| Российский журнал менеджмента - 2010г.,N 2 (Введено оглавление)
|
2.
| Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией/М. В. Дорохин [и др.] // Физика твердого тела, 2014. т.Т. 56,N вып. 10.-С.2062-2065
|
3.
| Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga, Mn)As импульсным лазерным отжигом/Ю. А. Данилов [и др.] // Физика твердого тела, 2016. т.Т. 58,N вып. 11.-С.2140-2144
|
4.
| Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A{3}B{5} импульсным лазерным отжигом/О. В. Вихрова [и др.] // Физика твердого тела, 2017. т.Т. 59,N вып. 11.-С.2130-2134
|
5.
| Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/delta/Е. И. Малышева [и др.] // Физика твердого тела, 2017. т.Т. 59,N вып. 11.-С.2142-2147
|
6.
| Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs/О. В. Вихрова [и др.] // Физика твердого тела, 2017. т.Т. 59,N вып. 11.-С.2196-2199
|
7.
| Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной/А. В. Кудрин [и др.] // Физика твердого тела, 2017. т.Т. 59,N вып. 11.-С.2200-2202
|
8.
| Фазовое разделение в слоях GaMnAs, сформированных импульсным лазерным осаждением/З. Э. Кунькова [и др.] // Физика твердого тела, 2018. т.Т. 60,N вып. 5.-С.940-946
|
9.
| Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А{3}В{5}, сильно легированных железом/Ю. А. Данилов [и др.] // Физика твердого тела, 2018. т.Т. 60,N вып. 11.-С.2137-2140
|
10.
| Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путем постростовых воздействий/Е. И. Малышева [и др.] // Физика твердого тела, 2018. т.Т. 60,N вып. 11.-С.2141-2146
|
11.
| О фазовом разделении в слоях (Ga,Mn)As, полученных ионной имплантацией и последующим лазерным отжигом/Е. А. Ганьшина [и др.] // Физика твердого тела, 2019. т.Т. 61,N вып. 3.-С.465-471
|
12.
| Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов/М. В. Дорохин [и др.] I: Фотолюминесцентные свойства // Журнал технической физики, 2017. т.Т. 87,N № 9.-С.1389-1394
|
13.
| Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов/М. В. Дорохин [и др.] II: Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции // Журнал технической физики, 2017. т.Т. 87,N № 10.-С.1539-1544
|
14.
| Когерентная спиновая динамика носителей в ферромагнитных полупроводниковых гетероструктурах с дельта-слоем Mn/С. В. Зайцев [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2016. т.Т. 150,N вып. 3.-С.490-500
|
15.
| Свойства гетероструктур MnSb/GaAs/О. В. Вихрова [и др.] // Известия РАН. Серия физическая, 2013. т.Т. 77,N № 1.-С.79-81
|
16.
| Структурное совершенство и распределение примеси в магнитных полупроводниковых наногетеросистемах на основе GaAs/А. И. Бобров [и др.] // Известия РАН. Серия физическая, 2014. т.Т. 78,N № 1.-С.18-21
|
17.
| Влияние особенностей дизайна гетероструктур InGaAs/GaAs с магнитной примесью на их гальваномагнитные и излучательные свойства/И. Л. Калентьева [и др.] // Известия РАН. Серия физическая, 2014. т.Т. 78,N № 1.-С.26-31
|
18.
| Кадыкова Е. А. Государственные стратегии развития финансового сектора/Е. А. Кадыкова // Аудит и финансовый анализ, 2018,N № 6.-С.72-72
|
19.
| Турбанов А. В. Об оптимальной модели регулирования и надзора на финансовом рынке (рецензия на монографию Буклемишева О. В., Данилова Ю. А. "Современные тенденции институциональной структуры финансового регулирования")/А. В. Турбанов // Деньги и кредит, 2017,N № 7.-С.68-73
|
20.
| Мишина В. Ю. Интегрированный валютный рынок ЕАЭС и операции в национальных валютах. Организация клиентского доступа резидентов стран ЕАЭС на биржевой рынок (обзор выступлений на семинаре)/В. Ю. Мишина, Л. И. Хомякова // Деньги и кредит, 2017,N № 11.-С.66-68
|
|
|
|
Электронный каталог книг
Стандартный