Поисковый запрос: (<.>R=29.19$<.>) |
Общее количество найденных документов : 769
Показаны документы с 1 по 10 |
|
>1.
| Особенности ян-теллеровского перехода в твердых растворах Ni[1-x]Co[x]Cr[2]O[4]/А. С. Михейкин [и др.] // Физика твердого тела, 2014,N Т. 56, вып. 4.-С.С. 754-760
|
>2.
| Разумов И. К. Аномальные дисперсные состояния сплавов, обусловленные сегрегацией примеси на межфазных границах/И. К. Разумов // Физика твердого тела, 2014,N Т. 56, вып. 4.-С.С. 749-753
|
>3.
| Василевская Т. Н. Эволюция неоднородной структуры модельных натриево-силикатных стекол в процессе бинодального распада: исследование методом рентгеновского малоуглового рассеяния/Т. Н. Василевская // Физика твердого тела, 2014,N Т. 56, вып. 4.-С.С. 741-748
|
>4.
| Твердофазный синтез силицидов марганца на поверхности Si(100)2 x 1/С. Н. Варнаков [и др.] // Физика твердого тела, 2014,N Т. 56, вып. 4.-С.С. 779-782
|
>5.
| Фотоиндуцированное перераспределение заряда и его влияние на экситонные состояния в гетероструктурах Zn(Cd)Se/ZnMgSSe/GaAs с квантовыми ямами/С. В. Шевцов [и др.] // Физика твердого тела, 2014,N Т. 56, вып. 4.-С.С. 769-778
|
>6.
| Кукушкин С. А. Фазовый переход первого рода через промежуточное состояние/С. А. Кукушкин, А. В. Осипов // Физика твердого тела, 2014,N Т. 56, вып. 4.-С.С. 761-768
|
>7.
| Фотолюминесценция кристаллов LiNaGe[4]O[9], активированных марганцем/К. С. Омельченко [и др.] // Физика твердого тела, 2014,N Т. 56, вып. 4.-С.С. 722-726
|
>8.
| Инвертированный опал на основе полимерного наполнителя и трансформация его оптических характеристик/П. В. Долганов [и др.] // Физика твердого тела, 2014,N Т. 56, вып. 4.-С.С. 717-721
|
>9.
| Внутреннее трение в суперионных кристаллах Cu[6]PS[5]Br и композитах на их основе/В. С. Биланич [и др.] // Физика твердого тела, 2014,N Т. 56, вып. 4.-С.С. 711-716
|
>10.
| Исследование структурных аспектов фазового перехода антисегнетоэлектрик - параэлектрик в двойном перовските Pb[2]MgWO[6] при высоких давлениях и температурах/Р. З. Мехдиева [и др.] // Физика твердого тела, 2014,N Т. 56, вып. 4.-С.С. 735-740
|
|
|